另辟蹊徑！不用EUV光刻機也能做出5nm

大家都知道，當(dāng)下先進工藝（尤其是7nm以下），基本都依賴ASML的EUV極紫外光刻機。

按照傳統(tǒng)認(rèn)知，沒有EUV就造不出先進工藝，那有沒有其他辦法呢。

前段時間，世界上就有一種“特殊”5nm的消息傳出，它是怎么來的呢？

有報道稱，這種5nm采用了完全不一樣的技術(shù)路線，避開了EUV光刻機的依賴，采用一種步進掃描光刻機，通過多重曝光實現(xiàn)5nm線寬。

光刻機是整個芯片制造過程中最為核心的設(shè)備，主要功能是將掩模上的電路圖案通過光學(xué)系統(tǒng)投射到涂有光刻膠的硅片上，在光刻膠上形成精細(xì)的圖案，就像 “畫工” 在硅片上繪制電路圖，芯片的制程由光刻機決定。

另外，刻蝕機采用某5nm刻蝕設(shè)備，精度達到原子級，號稱刻蝕速率比以往水平提升15%。

在光刻完成后登場，刻蝕機的主要作用是按照光刻機標(biāo)注好的圖案，通過化學(xué)或物理作用，將硅片上多余的部分，如未被光刻膠保護的材料腐蝕掉，留下需要的部分，以形成半導(dǎo)體器件和連接的圖案，類似于 “雕工”。

不僅如此，量測設(shè)備也采用了新的電子束量測系統(tǒng)，實現(xiàn)nm級缺陷檢測的替代。

也就是說，這種“另辟蹊徑”的方法，帶動了半導(dǎo)體設(shè)備、材料、設(shè)計工具等全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。

說不定，未來這種辦法，也能造出3nm，大家不妨拭目以待。